2018年6月5日 —推进高能效立异的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 宣布了一系列新的超低噪声高压降稳压器(LDO)，具有业界最好的电源克制比(PSRR)，能在噪声敏感的模仿设计中完成更好的机能。新的NCP16x系列，连同其汽车变体器件同时相符AEC-Q100车规的NCV81x，在各类运用中供给更好的机能，如汽车先辈驾驶帮助体系(ADAS)图象传感器模块、便携式装备和包含802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线运用。
NCP16x系列包含四个输出电压规模从1.9到5.5伏特(V)的器件以支撑各类分歧的终端运用。输入电流250毫安(mA)、450 mA和700 mA，采取雷同封装，使设计易于扩大。98分贝(dB)的超高PSRR阻拦不想要的电源噪声达到敏感的模仿电路，而6.5微伏(uV)均方根的超低噪声无需额定的输入电容。
新的LDO稳压用具有80毫伏(mV)的高压降，支撑和赞助延伸电池供电的终端产物的应用寿命。空载静态电流仅为12微安培(uA)，进一步加强此特征。这些器件可供给1.2 V至5.3 V的固定输入电压，在全部运用规模内的准确度为+/-2%。仅1 uF的输出输入电容完成稳固的任务，能下降体系本钱和体积。
新器件系列采取了一种新的专利架构来完成超高的PSRR机能，并扩大了安森美半导体在这一范畴的抢先位置，在宽频率规模(10 kHz至100 kHz)供给高PSRR关于终端运用机能异常主要。例如，在ADAS相机的图象传感器运用中，NCV8163经由过程滤除电源噪声来改良图象质量，防止电源噪声破坏施加到像素的电压旌旗灯号。在无线运用中，如WiGig 802.11ad，NCP167既具有超高PSRR又有超低噪声，确保体系的每比特供电能效能经由过程供给清洁的电源来完成。
安森美半导体高等产物营业总监 Tim Kaske说：“这一系列新的超低乐音LDO年夜年夜进步了PSRR，比一些传统的LDO高 30 dB。我们的客户对他们可以或许以这个新产物系列到达的新的机能程度觉得高兴。LDO依然是低电流运用的最好计划，其小体积和如今更高的PSRR机能程度及低噪声，是噪声敏感的射频(RF)和图象传感器运用的幻想电源治理计划。例如，我们有愈来愈多的图象传感器参考设计应用这一新的LDO系列。安森美半导体供给的全部体系级运用使工程师可以或许敏捷实行现今市场上最高图象质量的传感器计划。”
NCP16x采取TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封装。其汽车变体器件NCV816x采取TSOP-5和XDFN-4封装。一切器件均实用于古代高密度设计。
