2018年2月28日 – 推进高能效立异的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产物，扩大了SiC二极管产物组合。这些二极管的尖端碳化硅技巧供给更高的开关机能、更低的功率消耗，并轻松完成器件并联。
安森美半导体最新宣布的650 V SiC 二极管系列供给6安培（A）到50 A的外面贴装和穿孔封装。一切二极管均供给零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳固性、高浪涌容量和正温度系数。
工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中间电源等各类运用的PFC和升压转换器时，常常面临在更小尺寸完成更高能效的挑衅。这些全新的二极管能为工程师处理这些挑衅。
这些650 V器件供给的体系优势包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的靠得住性。其固有的低正向电压（VF）及SiC二极管的无反向恢来电荷能削减功率消耗，因此进步能效。SiC二极管更快的恢复速度令开关速度更高，是以可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸，完成更高的功率密度和更小的全体电路设计。另外，SiC二极管可蒙受更高的浪涌电流，并在 -55至 +175°C的任务温度规模内供给稳固性。
安森美半导体的SiC肖特基二极管具有奇特的专利终端构造，增强靠得住性并晋升稳固性和耐用性。另外，二极管供给更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关（UIS）才能和最低的电流泄露。
安森美半导体MOSFET营业部高等副总裁兼总司理Simon Keeton表现：“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件相反相成，为客户带来更普遍的产物规模。SiC技巧应用宽带隙(WBG) 资料的奇特特征，比硅更实惠，其稳健的构造为严苛情况中的运用供给靠得住的计划。我们的客户将受害于这些简化的、机能更佳、尺寸设计更小的新器件。”
封装与订价
650 V SiC二极管器件供给DPAK、TO-220和TO-247封装，每千件的单价为1.30美元至14.39美元。
欲懂得更多安森美半导体SiC产物组合若何完成更高的能效和靠得住性，请拜访碳化硅 (SiC) 产物网页，和博客《碳化硅二极管的最低功率消耗可完成最高功率密度》。
迎接莅临安森美半导体在美国APEC #601号展台，不雅看SiC MOSFET和二极管的现场演示，展现安森美半导体最新的仿真建模技巧若何准确地婚配真实的器件任务。
