三菱机电股份有限公司此次推出采取了SiC※1的功率半导体新产物“SiC-SBD※2”，新产物为有用下降用于空调及太阳能发电中的家电工业用电源体系的耗电量、减少其体积做出了进献。该产物将于3月1日起陆续出售。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
新产物的特色
1．经由过程采取SiC，为下降耗电量、减少体积做出进献
经由过程应用SiC年夜幅下降开关消耗，下降约21％的电力消耗※3
完成高速开关，为减少电抗器等配套零部件的体积做出进献
※3 与内置PFC电路的三菱机电产物功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si（硅）二极管比拟
2．经由过程采取JBS构造，进步靠得住性
采取pn结与肖特基结相联合的JBS※4构造
经由过程JBS构造进步浪涌电流耐量，从而进步靠得住性
※4 Junction Barrier Schottky
出售概要
发卖目的
最近几年来，出于节能环保的斟酌，人们对可以或许年夜幅下降电力消耗或应用SiC完成高速开关的功率半导体的等待逐步低落。三菱机电自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半导体模块，普遍运用于空调和工业机械、铁路车辆的逆变器体系等，为下降家电及工业机械的耗电量，减少其体积和分量做出了进献。
在这一配景下，此次将出售采取了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源体系中的“SiC-SBD”，将为下降客户的体系耗电量，减少体积做出进献。
本产物的开辟部门获得了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支撑。
※5 metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管
重要规格
※6 8.3msec, sine wave
